Рақами Қисм :
NTD4965N-35G
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
13A (Ta), 68A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
17.2nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1710pF @ 15V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.39W (Ta), 38.5W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
I-PAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-251-3 Stub Leads, IPak