Рақами Қисм :
FQA7N80C-F109
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
800V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
35nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1680pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
198W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-3PN
Бастаи / Парвандаи :
TO-3P-3, SC-65-3