PMEG3010AESBYL Нархгузорӣ (доллари ИМА) [1555320дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.02378
- 10,000 pcs$0.02159
- 30,000 pcs$0.02025
- 50,000 pcs$0.01800
- Рақами Қисм:
- PMEG3010AESBYL
- Истеҳсолкунанда:
- Nexperia USA Inc.
- Тавсифи муфассал:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD993. Schottky Diodes & Rectifiers 1A MEGA Schottky Barrier Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона and Транзисторҳо - Ҳадафи махсус ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMEG3010AESBYL electronic components. PMEG3010AESBYL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMEG3010AESBYL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMEG3010AESBYL Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
PMEG3010AESBYL
Истеҳсолкунанда :
Nexperia USA Inc.
Тавсифи :
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD993
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Schottky
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
30V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
480mV @ 1A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
3.5ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
255µA @ 20V
Иқтидори @ Vr, F :
86pF @ 1V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
2-XDFN
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DSN1006-2
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
150°C (Max)
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
FESB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM
-
UGB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 150 Volt 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 200 Volt 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 50 Volt 20ns 150 Amp IFSM
Қисмҳои гарм
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18