Vishay Siliconix - SI4913DY-T1-E3

KEY Part #: K6524425

[3836дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    SI4913DY-T1-E3
    Истеҳсолкунанда:
    Vishay Siliconix
    Тавсифи муфассал:
    MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4913DY-T1-E3 electronic components. SI4913DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4913DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4913DY-T1-E3 Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : SI4913DY-T1-E3
    Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
    Тавсифи : MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
    Серияхо : TrenchFET®
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи FET : 2 P-Channel (Dual)
    Хусусияти FET : Logic Level Gate
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 7.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 500µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 65nC @ 4.5V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Ҳокимият - Макс : 1.1W
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи / Парвандаи : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 8-SO

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед