Рақами Қисм :
BSC072N03LDGATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Навъи FET :
2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
41nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3500pF @ 15V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerVDFN
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TDSON-8 Dual