Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
11.2A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.8 mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
41nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2580pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOIC
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)