ON Semiconductor - FQD19N10TM

KEY Part #: K6392694

FQD19N10TM Нархгузорӣ (доллари ИМА) [235759дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.15689
  • 2,500 pcs$0.15234

Рақами Қисм:
FQD19N10TM
Истеҳсолкунанда:
ON Semiconductor
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда and Транзисторҳо - Ҳадафи махсус ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in ON Semiconductor FQD19N10TM electronic components. FQD19N10TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD19N10TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD19N10TM Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : FQD19N10TM
Истеҳсолкунанда : ON Semiconductor
Тавсифи : MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Серияхо : QFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 15.6A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : D-Pak
Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед