Рақами Қисм :
STB120N10F4
Истеҳсолкунанда :
STMicroelectronics
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V D2PAK
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
-
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
-
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
-
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Тақсимоти барқ (Макс) :
300W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D2PAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB