Рақами Қисм :
PHK18NQ03LT,518
Истеҳсолкунанда :
Nexperia USA Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
20.3A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.15V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
10.6nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1380pF @ 12V
Тақсимоти барқ (Макс) :
6.25W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)