Рақами Қисм :
TSM900N06CW RPG
Истеҳсолкунанда :
Taiwan Semiconductor Corporation
Тавсифи :
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
9.3nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
500pF @ 15V
Тақсимоти барқ (Макс) :
25W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-223
Бастаи / Парвандаи :
TO-261-4, TO-261AA