Рақами Қисм :
SSM3K318R,LF
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.5A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
235pF @ 30V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-23F
Бастаи / Парвандаи :
SOT-23-3 Flat Leads