Рақами Қисм :
RFD3055LESM
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
11.3nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
38W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-252AA
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63