Рақами Қисм :
TSM088NA03CR RLG
Истеҳсолкунанда :
Taiwan Semiconductor Corporation
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
61A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
12.6nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
750pF @ 15V
Тақсимоти барқ (Макс) :
56W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-PDFN (5x6)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerTDFN