Тавсифи :
MOSFET N-CH 850V 14A TO220AB
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
850V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
14A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
30nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1043pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
460W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220AB (IXFP)
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3