Рақами Қисм :
FDI8441_F085
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
26A (Ta), 80A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
280nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
15000pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
300W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
I2PAK (TO-262)
Бастаи / Парвандаи :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA