Рақами Қисм :
NTJS4151PT1G
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
3.3A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Бастаи / Парвандаи :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363