Рақами Қисм :
BSC035N10NS5ATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 115µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
87nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
6500pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W (Ta), 156W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TDSON-8
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerTDFN