Рақами Қисм :
SH8J31GZETB
Истеҳсолкунанда :
Rohm Semiconductor
Тавсифи :
60V PCHPCH MIDDLE POWER MOSFET
Навъи FET :
2 P-Channel (Dual)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
40nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2500pF @ 10V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOP