Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
80A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
107nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
4468pF @ 30V
Тақсимоти барқ (Макс) :
125W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-65°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3