Рақами Қисм :
SSM6P35FE(TE85L,F)
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Навъи FET :
2 P-Channel (Dual)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
-
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
12.2pF @ 3V
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
SOT-563, SOT-666
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
ES6 (1.6x1.6)