Рақами Қисм :
TPHR8504PL,L1Q
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
150A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.85 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
103nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
9600pF @ 20V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1W (Ta), 170W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOP Advance (5x5)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerVDFN