Diodes Incorporated - BSP75GQTA

KEY Part #: K6396290

BSP75GQTA Нархгузорӣ (доллари ИМА) [126380дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.29267

Рақами Қисм:
BSP75GQTA
Истеҳсолкунанда:
Diodes Incorporated
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Zener - Ягона and Модулҳои драйвери барқ ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Diodes Incorporated BSP75GQTA electronic components. BSP75GQTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP75GQTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP75GQTA Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : BSP75GQTA
Истеҳсолкунанда : Diodes Incorporated
Тавсифи : MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
Серияхо : Automotive, AEC-Q101
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2.5W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-223
Бастаи / Парвандаи : TO-261-4, TO-261AA

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед