Diodes Incorporated - DMN1033UCB4-7

KEY Part #: K6523020

DMN1033UCB4-7 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [325745дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.11412
  • 3,000 pcs$0.11355

Рақами Қисм:
DMN1033UCB4-7
Истеҳсолкунанда:
Diodes Incorporated
Тавсифи муфассал:
MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Rectifiers Bridge, Диодҳо - RF, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - JFETs and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Diodes Incorporated DMN1033UCB4-7 electronic components. DMN1033UCB4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1033UCB4-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN1033UCB4-7 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : DMN1033UCB4-7
Истеҳсолкунанда : Diodes Incorporated
Тавсифи : MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Хусусияти FET : Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : -
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 37nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
Ҳокимият - Макс : 1.45W
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи / Парвандаи : 4-UFBGA, WLBGA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : U-WLB1818-4

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.