IXYS - IXFL34N100

KEY Part #: K6402613

IXFL34N100 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [3180дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$15.73877
  • 25 pcs$15.66047

Рақами Қисм:
IXFL34N100
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Тиристорҳо - SCRs and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXFL34N100 electronic components. IXFL34N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFL34N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFL34N100 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXFL34N100
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
Серияхо : HiPerFET™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 1000V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 380nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 9200pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 550W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : ISOPLUS264™
Бастаи / Парвандаи : ISOPLUS264™

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • CPH6354-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • GP2M005A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

  • GP2M005A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.