Рақами Қисм :
TPW4R50ANH,L1Q
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
92A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
58nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
5200pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
800mW (Ta), 142W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-DSOP Advance
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerVDFN