Рақами Қисм :
FDD16AN08A0
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
75V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta), 50A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
47nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1874pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
135W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DPAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63