GeneSiC Semiconductor - GA100JT12-227

KEY Part #: K6402343

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо and Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 electronic components. GA100JT12-227 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA100JT12-227, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : GA100JT12-227

Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor

Тавсифи : TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Серияхо : -

Статуси Қисми : Obsolete

Навъи FET : -

Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : 1200V

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 100A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : -

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 800V

Хусусияти FET : -

Тақсимоти барқ (Макс) : 535W (Tc)

Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)

Навъи монтаж : Chassis Mount

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-227

Бастаи / Парвандаи : SOT-227-4, miniBLOC

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед