Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
1.1A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
5.5nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
150pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
500mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SC-59-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3