Рақами Қисм :
SI3529DV-T1-E3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Навъи FET :
N and P-Channel
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.5A, 1.95A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
205pF @ 20V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
6-TSOP