Рақами Қисм :
FQB5N60CTM-WS
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V 4.5A
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
19nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
670pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
100W (Tc)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D²PAK (TO-263AB)
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB