Рақами Қисм :
SI4840BDY-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
19A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
50nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 20V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W (Ta), 6W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)