Vishay Siliconix - SIHB12N60ET1-GE3

KEY Part #: K6399347

SIHB12N60ET1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [39795дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.98254

Рақами Қисм:
SIHB12N60ET1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge and Тиристорҳо - TRIACs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB12N60ET1-GE3 electronic components. SIHB12N60ET1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB12N60ET1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB12N60ET1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SIHB12N60ET1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Серияхо : E
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 937pF @ 100V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 147W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-263 (D²Pak)
Бастаи / Парвандаи : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.