Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
560mA (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
15nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Бастаи / Парвандаи :
4-DIP (0.300", 7.62mm)