Diodes Incorporated - DMN2450UFB4-7B

KEY Part #: K6393996

DMN2450UFB4-7B Нархгузорӣ (доллари ИМА) [2063123дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.01793

Рақами Қисм:
DMN2450UFB4-7B
Истеҳсолкунанда:
Diodes Incorporated
Тавсифи муфассал:
MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - JFETs, Тиристорҳо - TRIACs, Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF and Диодҳо - Zener - Ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2450UFB4-7B electronic components. DMN2450UFB4-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2450UFB4-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2450UFB4-7B Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : DMN2450UFB4-7B
Истеҳсолкунанда : Diodes Incorporated
Тавсифи : MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 1.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±12V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 56pF @ 16V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 500mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : X2-DFN1006-3
Бастаи / Парвандаи : 3-XFDFN

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед