Vishay Siliconix - SI3430DV-T1-GE3

KEY Part #: K6420441

SI3430DV-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [195156дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.18953
  • 3,000 pcs$0.16019

Рақами Қисм:
SI3430DV-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - TRIACs, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо and Диодҳо - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI3430DV-T1-GE3 electronic components. SI3430DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3430DV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3430DV-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI3430DV-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.6nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 1.14W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 6-TSOP
Бастаи / Парвандаи : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед