Рақами Қисм :
SI3430DV-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
1.8A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA (Min)
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
6.6nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.14W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
6-TSOP
Бастаи / Парвандаи :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6