Рақами Қисм :
FGA30T65SHD
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
Намуди IGBT :
Trench Field Stop
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ :
650V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) :
60A
Ҷорӣ - Коллекторҳои импулсшуда (Icm) :
90A
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 30A
Интиқоли барқ :
598µJ (on), 167µJ (off)
Тд (фаъол / хомӯш) @ 25 ° C :
14.4ns/52.8ns
Ҳолати тестӣ :
400V, 30A, 6 Ohm, 15V
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
31.8ns
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
TO-3P-3, SC-65-3
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-3PN