Рақами Қисм :
TK7Q60W,S1VQ
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
7A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 350µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
15nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
490pF @ 300V
Тақсимоти барқ (Макс) :
60W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
I-PAK
Бастаи / Парвандаи :
TO-251-3 Stub Leads, IPak