BY458TR Нархгузорӣ (доллари ИМА) [477149дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.07791
- 25,000 pcs$0.07752
- Рақами Қисм:
- BY458TR
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- DIODE AVALANCHE 1.2KV 2A SOD57. Rectifiers 1200 Volt 2.0 Amp 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо and Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BY458TR electronic components. BY458TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BY458TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BY458TR Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
BY458TR
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
DIODE AVALANCHE 1.2KV 2A SOD57
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Avalanche
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
1200V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
2A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.6V @ 3A
Суръат :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
2µs
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
3µA @ 1200V
Иқтидори @ Vr, F :
-
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
SOD-57, Axial
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOD-57
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
140°C (Max)
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
APT15D120KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1200V, 15A, TO-220, RoHS
-
APT15D100KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, 15A, TO-220, RoHS
-
MB10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,100V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
-
NSB8KTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
-
NSB8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
-
MBRB760HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 7.5A,60V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
Қисмҳои гарм
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18