Рақами Қисм :
FQP13N50C_F105
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
IC POWER MANAGEMENT
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
500V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
13A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
480 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
56nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2055pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
195W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220AB
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3