Рақами Қисм :
IXTA2R4N120P
Тавсифи :
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
1200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.4A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
37nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1207pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
125W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-263 (IXTA)
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB