Рақами Қисм :
IPL65R310E6AUMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 4VSON
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
650V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
13.1A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
310 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 400µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
45nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
104W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
Thin-Pak (8x8)
Бастаи / Парвандаи :
4-PowerTSFN