Тавсифи :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Навъи FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Хусусияти FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
Die