ON Semiconductor - BVSS123LT1G

KEY Part #: K6392864

BVSS123LT1G Нархгузорӣ (доллари ИМА) [996497дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.03712
  • 12,000 pcs$0.02123

Рақами Қисм:
BVSS123LT1G
Истеҳсолкунанда:
ON Semiconductor
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - RF, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in ON Semiconductor BVSS123LT1G electronic components. BVSS123LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BVSS123LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BVSS123LT1G Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : BVSS123LT1G
Истеҳсолкунанда : ON Semiconductor
Тавсифи : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 170mA (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 20pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 225mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-23-3
Бастаи / Парвандаи : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед