Рақами Қисм :
IPN70R360P7SATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
700V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
12.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
16.4nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
517pF @ 400V
Тақсимоти барқ (Макс) :
7.2W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-SOT223
Бастаи / Парвандаи :
TO-261-3