Diodes Incorporated - ZXMN2F30FHTA

KEY Part #: K6420297

ZXMN2F30FHTA Нархгузорӣ (доллари ИМА) [663036дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.05579
  • 3,000 pcs$0.05025

Рақами Қисм:
ZXMN2F30FHTA
Истеҳсолкунанда:
Diodes Incorporated
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Диодҳо - Zener - Ягона and Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN2F30FHTA electronic components. ZXMN2F30FHTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN2F30FHTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN2F30FHTA Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : ZXMN2F30FHTA
Истеҳсолкунанда : Diodes Incorporated
Тавсифи : MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 4.1A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 4.8nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 452pF @ 10V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 960mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-23-3
Бастаи / Парвандаи : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед