Рақами Қисм :
SIHH21N65E-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
650V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
20.3A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
99nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2404pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
156W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® 8 x 8
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerTDFN