Рақами Қисм :
GP2M010A065F
Истеҳсолкунанда :
Global Power Technologies Group
Тавсифи :
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
650V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
9.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
820 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
36nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1670pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
52W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220F
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3 Full Pack