Рақами Қисм :
IXTA1R6N100D2
Тавсифи :
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
1000V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 800mA, 0V
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
27nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
645pF @ 25V
Хусусияти FET :
Depletion Mode
Тақсимоти барқ (Макс) :
100W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-263 (IXTA)
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB