EGL41G/1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [798304дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.04889
- 4,000 pcs$0.04865
- Рақами Қисм:
- EGL41G/1
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - JFETs, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона and Тиристорҳо - TRIACs ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL41G/1 electronic components. EGL41G/1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL41G/1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGL41G/1 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
EGL41G/1
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Серияхо :
SUPERECTIFIER®
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
400V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.25V @ 1A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
50ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
5µA @ 400V
Иқтидори @ Vr, F :
14pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
DO-213AB, MELF (Glass)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-213AB
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 175°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
VS-8EWF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
-
VS-8EWF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60SRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA04SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA08SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
Қисмҳои гарм
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18