Diodes Incorporated - DMG4N60SCT

KEY Part #: K6396093

DMG4N60SCT Нархгузорӣ (доллари ИМА) [118621дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.31337
  • 50 pcs$0.31181

Рақами Қисм:
DMG4N60SCT
Истеҳсолкунанда:
Diodes Incorporated
Тавсифи муфассал:
MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs and Транзисторҳо - JFETs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Diodes Incorporated DMG4N60SCT electronic components. DMG4N60SCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4N60SCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4N60SCT Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : DMG4N60SCT
Истеҳсолкунанда : Diodes Incorporated
Тавсифи : MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 14.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 532pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 113W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-220AB
Бастаи / Парвандаи : TO-220-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед